MEMS應用是PZT薄膜未來發展的驅動力

法國市場調研公司Yole發布《鋯鈦酸鉛（PZT）薄膜半導體應用趨勢與技術更新》報告。

該技術和市場分析報告提供了對PZT薄膜應用的概況和預測。

除了對製造工藝和未來挑戰的詳細研究，還包括技術路線圖和對重點產業市場主要參與者的排序等。

PZT薄膜對未來應用最有前途的影響無疑是其壓電效應。

2013年9月，愛普生公司宣布其新一代噴墨打印技術與精密核，第一次推出採用PZT薄膜技術製造的MEMS噴墨頭。

此發明已得到大力地宣傳。

首先，薄膜壓電MEMS應用已出現在市場上，證明該技術的可靠性和成熟度。

其次，更多噴墨頭製造商將很快跟進。

Yole半導體製造市場與技術分析師克萊爾·特羅阿代克解釋道：“薄膜壓電材料在MEMS產業中日益受到重視。

儘管半導體製造公司在過去不願意將這種特殊材料引入其生產線，而現在每一個主要的MEMS代工企業都致力於在MEMS製造工藝中使用壓​​電薄膜。

橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）與研究機構展開合作，攜手開發下一代MEMS元件的試產生產線（pilot line）。

下一代MEMS元件將採用壓電（piezoelectric）或磁性材料和3D封裝等先進技術以強化MEMS產品的功能性。

該專案由奈米電子 產業公私合營組織歐洲奈米科技方案諮詢委員會（ENIAC，European Nanoelectronics Initiative Advisory Council）合作組織（JU，Joint Undertaking）發起。

為了這個耗資2800萬歐元、為期30個月的Lab4MEMS專案，意法半導體與橫跨9個歐洲國家的大學、研究機構和技術授權組織進行合作。

該專案運用意法半導體在法國、義大利和馬爾他的MEMS設施建立一整套集研發、測試及封裝於一體的下一代MEMS製造中心。

意法半導體擁有800餘項MEMS專利，出貨量已突破30億顆大關，自有產能的日產量超過400萬顆，這些傲人的業績讓意法半導體成為Lab4MEMS專案進行下一代MEMS研究的領航者。

該專案將開發壓電薄膜等技術以強化現有純矽MEMS的特性，如下一代MEMS將實現更大的移位、更高的感測功能及能量密度。

智慧型感測器、致動器、微型泵浦和能量收集器的製造需要這些先進技術，以滿足未來數據儲存器、噴墨印表機、醫療保健、汽車電子系統、工業控制和智慧 型大樓以及智慧型手機和導航裝置等消費性電子應用的需求。

該專案還將開發先進封裝技術和晶片垂直互連技術，採用覆晶技術（Flip-Chip），、矽穿孔技術（through-silicon vias）、封裝通孔技術（through-mold vias）實現3D整合元件，滿足人體局部感測器和遠端健康監護應用的需求。

完善適合量產的壓電複合膜（PZT deposition）製程，並將其整合至複雜的MEMS製程，在系統單晶片上實現創新的致動器和感測器，是該專案的主要目標之一。

Lab4MEMS是ENIAC JU簽定的一個關鍵實現技術（KET，Key Enabling Technologies）試產生產線專案，旨在於開發對社會影響重大的技術和應用領域。